| № | Название, авторы, журнал | Статус |
| 1 | A. B. Boruzdina, N. G. Grigor'ev, and A. V. Ulanova, “Effect of topological placement of memory cells in memory chips on multiplicity of cell upsets from heavy charged particles,” Russian Microelectronics, vol. 43, no. 2, pp. 96-101, 2014 | Scopus |
| 2 | A. G. Petrov, A. L. Vasil'ev, A.V. Ulanova, A. I. Chumakov, and A.Y. Nikiforov, “Flash memory cells data loss caused by total ionizing dose and heavy ions,” Central European Journal of Physics, vol. 12, no. 10, pp. 725-729, 2014 | Scopus |
| 3 | M. S. Gorbunov, P. S. Dolotov, A. A. Antonov, G. I. Zebrev, V. V. Emeliyanov, A. B. Boruzdina, A. G. Petrov, and A. V. Ulanova, “Design of 65 nm CMOS SRAM for Space Applications: A Comparative Study,” IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. 61, no. 4, pp. 1575-1582, 2014. | Scopus |
| 4 | Влияние топологического размещения ячеек в микросхемах памяти на кратность сбоев от ТЗЧ. Боруздина А.Б., Григорьев Н.Г., Уланова А.В. Микроэлектроника. 2014. Т. 43. № 2. С. 88. | РИНЦ |
| 5 | Смолин А.А., Уланова А.В., Согоян А.В., Демидов А.А. Моделирование радиационно-индуцированных токов утечки в МОП-структурах при воздействии гамма- и рентгеновского излучений // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть III. С. 197-200 | РИНЦ |
| 6 | А.Б. Боруздина, А.В. Уланова, М.С. Горбунов, А.И. Чумаков. «Влияние угла падения тяжелых заряженных частиц и записанного кода на кратность сбоев в микросхемах СОЗУ» // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2014. Сборник трудов. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть 3. с.181-184 | РИНЦ |
| 7 | Горбунов М.С., Долотов П.С., Антонов А.А., Зебрев Г.И., Емельянов В.В., Боруздина А.Б., Петров А.Г., Уланова А.В. Сравнительный анализ сбоеустойчивости ячеек 65 нм КМОП СОЗУ // «ВАНТ» Вопросы атомной науки т техники, Выпуск 3, 2014 г, с. 47-55. | РИНЦ |
| 8 | Модель пространственного распределения центров захвата в осажденном окисле. А.А. Смолин, А.В. Согоян, А.В. Уланова // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2014», выпуск 17, Москва, 2014, стр. 95-96. | Труды конференции |
| 9 | Исследование поведения «окна памяти» тестовых транзисторов с плавающим затвором при дозовом воздействии. А.Г. Петров, А.Б.Боруздина, А.В.Уланова, Орлов О.М., Вавилов В.А. // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2014», выпуск 17, Москва, 2014, стр. 173-174. | Труды конференции |
| 10 | Исследования потери информации в микросхемах флэш-памяти в активном и пассивном режимах при ионизирующем воздействии. Петров А.Г., Уланова А.В., Чумаков А.И., Васильев А.Л. // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2014», выпуск 17, Москва, 2014, стр. 175-176. | Труды конференции |
| 11 | Развитие методического подхода по выявлению многократных сбоев в микросхемах памяти А.Б. Боруздина, А.В. Уланова, А.И. Чумаков // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2014», выпуск 17, Москва, 2014, стр. 123-124. | Труды конференции |
| 12 | Влияние напряжения отрицательного смещения на подложке на сбоеустойчивость КНИ СОЗУ 1Мбит при воздействии тяжелых заряженных частиц А.Б. Боруздина, А.В. Уланова, А. Смолин, А.Ю.Никифоров // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2014», выпуск 17, Москва, 2014, стр. 143-144. | Труды конференции |
| 13 | Влияние алгоритма тестирования на кратность сбоев в КМОП СОЗУ 65нм от тяжелых заряженных частиц. А.Б. Боруздина, А.В. Уланова, А.И. Чумаков, М.С. Горбунов // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2014», выпуск 17, Москва, 2014, стр. 145-146. | Труды конференции |
| 14 | А.Б. Боруздина, М.С. Горбунов. «Эффекты многократных сбоев в СОЗУ при воздействии ионов под различными углами падения» // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2013», выпуск 16, Москва, 2013, стр. 99-100. | Труды конференции |
| 15 | А.Б. Боруздина. «Экспериментальная проверка применимости методики подсчета многократных сбоев в СОЗУ» // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2013», выпуск 16, Москва, 2013, стр. 103-104. | Труды конференции |
| 16 | А.Б. Боруздина, Н.Г. Григорьев, А.В. Уланова. «Влияние реализации топологии ячеек микросхем памяти на чувствительность к эффектам многократных сбоев» // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2013», выпуск 16, Москва, 2013, стр. 105-106. | Труды конференции |
| 17 | А.Б. Боруздина, А.В. Уланова. «Применимость методики подсчета многократных сбое в СОЗУ, позволяющей уменьшить время проведения эксперимента». //Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов – М.: НИЯУ МИФИ | Труды конференции |
| 18 | М.С. Горбунов, П.С. Долотов, В.Е. Шунков, А.А. Антонов, Г.И. Зебрев, В.В. Емельянов, А.Б. Боруздина, А.Г. Петров, А.В. Уланова. «Сравнение сбоеустойчивости ячеек памяти статического КМОП ОЗУ с проектной нормой 65 нм» // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов – М.: НИЯУ МИФИ, 2013, с.8-19. | Труды конференции |
| 19 | А.Г. Петров. «Дозовые эффекты обратимой потери информации в ячейках флэш-памяти» // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2013», выпуск 16, Москва, 2013, стр. 161-162. | Труды конференции |
| 20 | А.Г. Петров, А. В. Яненко, А.Л. Васильев, А.И. Чумаков. «Поведение тока потребления микросхем флэш-памяти при возникновении эффектов сбоев типа SEFI» // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2013», выпуск 16, Москва, 2013, стр. 163-164 | Труды конференции |
| 21 | П.А. Афанасьев, В.Н. Марков, П.К. Скоробогатов, А.В. Уланова, Г.Г. Давыдов, В.А. Вавилов. Результаты калибровки воздействия несфокусированного лазерного излучения на микросхемы памяти при дозиметрическом сопровождении испытаний // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2013». – 2013г. – с. 217-219. | Труды конференции |
| 22 | А.Г.Петров, А.В.Яненко, А.Л.Васильев, А.И. Чумаков, П.А. Чубунов, В.С. Анашин, С.А.Яковлев «Сравнительные исследования тиристорных эффектов и сбоев в ОЗУ на ускорителе ионов и лазерном имитаторе» // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2013», выпуск 16, Москва, 2013, стр. 165-167. | Труды конференции |
| 23 | В.С.Анашин, С.А.Яковлев, П.А.Чубунов, А.В.Уланова, А.Г.Петров «Сравнение результатов дозовых испытаний статического ОЗУ 256К на гамма и рентгеновской установках» // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2013», выпуск 16, Москва, 2013, стр. 133-134. | Труды конференции |
| 24 | А.А. Смолин, А.В. Уланова, А.В. Согоян. «Радиационно-индуцированные краевые токи утечки по боковой STI-изоляции для N-МОП транзисторов технологии 180 нм и 90 нм» // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2013», выпуск 16, Москва, 2013, стр. 107-108. | Труды конференции |
| 25 | Влияние температуры на дозовую стойкость КМОП микросхем памяти с проектными нормами 0,18 мкм. С.Б.Шмаков, М.Е.Черняк, А.Г.Петров, А.Б.Боруздина // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2014», выпуск 17, Москва, 2014, стр. 225-226. | Труды конференции |
|
| Тематика оптоэлектроники |
|
| 26 | M.E. Cherniak , A.V. Ulanova, and A.Y. Nikiforov, “Infrared focal plane array FPA320×256 radiation hardness investigation,” in Proc. 29th Int. Conf. on Microelectronics, MIEL 2014, Belgrade, Serbia, May 2014, pp. 195-198. | Scopus |
| 27 | M.E. Cherniak , A.V. Ulanova, and A.Y. Nikiforov «Some aspects of optocouplers` radiation hardness» // 50th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials «MIDEM-2014», October 2014., рр.275-278 | Труды конференции |
| 28 | Исследование влияния высокоэнергетичных протонов на светочувствительность FPA-матрицы инфракрасного диапазона FPA320x256. М.Е. Черняк, А.В. Уланова, А.Ю. Никифоров, С.В. Кудрявцев // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2014», выпуск 17, Москва, 2014, стр. 221-222. | Труды конференции |
| 29 | Зависимость времени потери работоспособности оптореле от интенсивности импульсного воздействия. М.Е. Черняк, П.К.Скоробогатов // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2014», выпуск 17, Москва, 2014, стр. 223-224. | Труды конференции |
| 30 | Повторные сбои в ОЗУ при испытаниях на стойкость к воздействию отдельных ядерных частиц. А.Б.Боруздина, А.Л.Васильев, А.Г.Петров // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2014», выпуск 17, Москва, 2014, стр. 120-121. | Труды конференции |
| 31 | М.Е. Черняк «Влияние величины входного тока оптопары на радиационную стойкость при воздействии гамма-излучения». // 16-я Международная телеккомуникационная конференция молодых ученых и студентов «Молодежь и наука». Тезисы докладов. – Ч.1.М.: НИЯУ МИФИ, 2013, с.83-84. | Труды конференции |
| 32 | М.Е. Черняк, А.В. Уланова. «Определение времени жизни неосновных носителей заряда в области базы светодиода по времени обратного восстановления для задач оценки стойкости к структурным повреждениям». // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2013», выпуск 16, Москва, 2013, стр. 47-48. | Труды конференции |
| 33 | М.Е. Черняк, Г.Г. Давыдов, С.В. Семенов «Радиационное поведение оптопар HSSR-7111 в диапазоне мощностей дозового воздействия». // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2013», выпуск 16, Москва, 2013, стр. 171-172. | Труды конференции |
