В период с 24.09.19 по 26.09.19 в рамках Международного DIGITAL саммита Титовец Д.О. от лица АО «ЭНПО СПЭЛС» и Калашников В.Д. от лица НИЯУ МИФИ приняли участие в 14-й отраслевой научно-технической конференции молодых специалистов Госкорпорации «Росатом» с докладами «Оценка параметров чувствительности по одиночным радиационным эффектам сбоев при воздействии нейтронов ядерных установок» (авторы работы: Д.О. Титовец, В.А. Марфин, Д.В. Бобровский, А.И. Чумаков, А.Б. Каракозов) и «Влияние повышенной интенсивности набора дозы ионизирующего излучения на стойкость КМОП микросхем» (авторы работы: В.Д. Калашников, А.Ю. Егоров, А.В. Согоян, А.И Чумаков, А.Б. Каракозов).

26 июня 2019 года в рамках научно-деловой программы международного военно-технического форума «Армия-2019» (Парк «Патриот») проходил круглый стол на тему «Материалы и электронные компоненты для экстремальных режимов и условий эксплуатации» под модерацией Лучинина Виктора Викторовича, директора департамента науки СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Сотрудником ИЭПЭ НИЯУ МИФИ Усачевым Николаем, принявшем участие в качестве приглашенного спикера, был сделан доклад на тему «Актуальные вопросы радиационно-ориентированной характеризации технологических процессов для контрактного производства импортозамещающей ЭКБ твердотельной СВЧ электроники».