АО "ЭНПО СПЭЛС"

Изделия отечественного производства


SEARCH:
Display: ( Страница 8 из 159 )
ОбъектФункциональное назначениеЭТБИспытательная базаИзготовительФакторыСроки испытаний
29351345АП10ТСупервизор питания 3 3 В с высоким уровнем сигнала сбросаКМОПАО ЭНПО СПЭЛСОАО «Интеграл» Беларусь7И7IV кв. 2015г
29341345АП10ТСупервизор питания 3 3 В с высоким уровнем сигнала сбросаКМОПАО ЭНПО СПЭЛС / ЛЯР ОИЯИ г.ДубнаОАО «Интеграл» Беларусь7К9(7К10)7К11(7К12)IV кв. 2015г
29335560ИН2ТИнтерфейсный приёмопередатчик по стандартам RS-485 RS-422КМОПАО ЭНПО СПЭЛС / ЛЯР ОИЯИ г.ДубнаОАО «Интеграл» Беларусь7К9(7К10)7К11(7К12)IV кв. 2015г
29322П7210А9P-канальный МДП транзисторКремниевая эпитаксиально-планарнаяАО ЭНПО СПЭЛС / ЛЯР ОИЯИ г.ДубнаОАО «Ангстрем» Россия7К11(7К12)IV кв. 2015г
2931544УД16У3Сдвоенный прецизионный операционный усилительБиПОЛАО ЭНПО СПЭЛС / ЛЯР ОИЯИ г.ДубнаФГУП «НПП Восток» Россия7К9(7К10)7К11(7К12)IV кв. 2015г
29305559ИН13Тприемопередатчик мультиплексного каналаКМОПАО ЭНПО СПЭЛСОАО НПО «Физика» Россия7И7IV кв. 2015г
29292П7162А1N-канальный МОП транзисторКремниевая эпитаксиально-планарнаяАО ЭНПО СПЭЛС / ЛЯР ОИЯИ г.ДубнаОАО «Ангстрем» Россия7К11(7К12)IV кв. 2015г
29282П7165А1P-канальный МДП транзисторКремниевая эпитаксиально-планарнаяАО ЭНПО СПЭЛС / ЛЯР ОИЯИ г.ДубнаОАО «Ангстрем» Россия7К11(7К12)IV кв. 2015г
29271349ЕГ1УСтабилизатор постоянного напряжения регулируемыйБиПОЛАО ЭНПО СПЭЛСОАО «Интеграл» Беларусь7И7(7С4)IV кв. 2015г
29261339ПЛ1Умикросхемы синтезатора частотыКМОП КНИАО ЭНПО СПЭЛСФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова»ОИНIV кв. 2015г
29251408УД1АРММмикросхемы 1408УД1АРММ высоковольтного операционного усилителяБиПОЛАО ЭНПО СПЭЛС / ЛЯР ОИЯИ г.ДубнаОАО «НИИМЭ и Микрон»7К11(7К12)IV кв. 2015г
2924740УД4АН1ММмикросхемы операционного усилителяБиПОЛАО ЭНПО СПЭЛС / ЛЯР ОИЯИ г.ДубнаОАО «НИИМЭ и Микрон»7К11(7К12)IV кв. 2015г
29235560ИН1ТСчетверённый передатчик с дифференциальным выходом стандарта LVDSКМОПАО ЭНПО СПЭЛС / ЛЯР ОИЯИ г.ДубнаОАО «Интеграл» Беларусь7К9(7К10)7К11(7К12)IV кв. 2015г
29221364АП1Тдрайвер управления мощными n-канальными МОП транзисторамиКМОП КНСАО ЭНПО СПЭЛСФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е.Седакова»ОИНIV кв. 2015г
2921SiC диодpin-диоды выполненные на карбиде кремния с толщиной базы ni 10 мкм и меза 1 5 мкм-ИЭПЭ НИЯУ МИФИ/НИИПЗАО «Светлана-Электронприбор»7И1IV кв. 2015г
2920Транзисторы M13_БТ из состава тестового кристалла M13_S11_PAтранзисторы из состава тестового кристалла M13_S11_PAБиПОЛИЭПЭ НИЯУ МИФИ/НИИПОАО «НИИМЭ и Микрон»7И1IV кв. 2015г
2919СВЧ фазовращатель MP-089_0микросхемы 14-разрядного ступенчатого векторного СВЧ фазовращателя с параллельным управлениемБиКМОПИЭПЭ НИЯУ МИФИАО «НИИМА «Прогресс» и изготовлен компанией IHP (Германия)7И6(7И8)IV кв. 2015г
2918Транзисторы M40_T02 из состава тестового кристалла M40_M14_TESTтранзисторы T02 из состава тестового кристалла M40_M14_TESTКМОП КНИИЭПЭ НИЯУ МИФИОАО «НИИМЭ и Микрон»7И7IV кв. 2015г
2917СВЧ перключатель T09 из состава тестового кристалла M40_M14_TESTСВЧ переключатели T09 из состава тестового кристалла M40_M14_TESTКМОП КНИИЭПЭ НИЯУ МИФИОАО «НИИМЭ и Микрон»7И7IV кв. 2015г
2916Делитель частоты НПК5501Умикросхемы программируемого делителя частоты НПК5501УКМОП КНИИЭПЭ НИЯУ МИФИФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова»7И6(7И8)IV кв. 2015г
Навигация по сайту: Главная страница Изделия отечественного производства