Лазерная установка РАДОН-8

Печать
radon8 Лазерная установка РАДОН-8 предназначеан для моделирования эффектов от воздействия высокой (до 1013 рад(Si)/с) мощности дозы ионизирующего излучения на интегральные схемы (ИС) и полупроводниковые приборы (ПП). Лазерные импульсы наносекундной длительности используются для практически однородной объемной ионизации в полупроводниковых материалах ИС и ПП, вызывающей такие эффекты мощности дозы как сбои, тиристорный эффект или переходные процессы.

Основной лазерный источник имеет две длины волны (1064 и 532 нм), которые обычно используются для моделирования эффектов мощности дозы в объемном кремнии или в КНИ приборах (­­КНИ ‑ кремний на изоляторе).

Лазерный источник генерирует выходной пучок, диаметр которого может быть расширен до размеров активной области исследуемых приборов.

Использование быстродействующих цифровых осциллографов, регистраторов и логических анализаторов (не входят в состав системы) позволяет регистрировать ионизационный отклик исследуемого прибора, вызываемый падающим на него лазерным импульсом.

Установка РАДОН-8 дополнительно включает в себя перестраиваемый по длине волны (700…1000 нм) лазерный источник, позволяющий получать большие эквивалентные мощности дозы в приборах на основе различных полупроводниковых материалов (Si, GaAs и т.д.). Этот дополнительный источник представляет собой наносекундный перестраиваемый по длине волны Ti3+:Al2O3 лазер, накачиваемый излучением 532 нм основного лазера имитатора.

   Особенности

·      Компактный, стабильный и надежный наносекундный лазерный источник
·      Длины волн 1064/532  нм, 700…1000 нм (дополнительно)
·      Высокое качество пучка, стабильность пространственного распределения
·      Частота повторения лазерных импульсов 10 Гц и режим одиночных импульсов
·      Высокоточная синхронизация облучения и регистрации
·      Компактное расположение на оптическом столе 1500×700 мм
·      Управление с помощью ПК с доступным интерфейсом
·      Низкая стоимость обслуживания

  Применения

·      Моделирование сбоев, тиристорных и переходных эффектов,  вызванных мощностью дозы
·      Измерение порогов сбоев и тиристорного эффекта мощности дозы
·      Измерение времени потери работоспособности и уровня бессбойной работы
·      Проверка методов повышения радиационной стойкости
·      Тестирование радиационно-стойких исполнений
·      Выявление наиболее радиационно-чувствительных параметров ИС с учётом условий эксплуатации и режимов функционирования
·      Тестирование на пластине
·      Отработка методов тестировании ИС при облучении рентгеновскими импульсами
·      Исследование катастрофических отказов ИС при лазерном облучении.

 Спецификация

Параметры

Единицы

Величины

Тип лазера

Nd3+:YAG   [Ti3+:Al2O3(дополнительно)]

Длины волн

нм

1064 / 532 [700…1000 нм (дополнительно)]

Макс. энергия лазерного импульса на образце

мДж

150 / 70 [до 30 (@800 нм)]

Длительность импульса Nd3+:YAG (FWHM)

нс

11 … 13

Стабильность энергии лазерного импульса

%

± 2,5

Диаметр пучка (по уровню 0,5)

мм

5 … 40

Коэффициент ослабления аттенюатора

1 … 107, управление с ПК

Частота повторения импульсов

Гц

 0 … 10

Габаритные ограничения:

Максимальный размер объекта

 

мм

 

400

Охлаждение

Замкнутая система охлаждения вода/воздух

Размеры (кроме источника питания)

мм

1500 × 700 × 1400

Источник питания:

Тип сети

Максимальная потребляемая мощность (кроме ПК)

Размеры

 


кВт

мм

 

~ 220 V, 50 Hz


0,7

650 × 290 × 650

Язык интерфейса

Русский, Английский

Примечание: все спецификации могут изменяться без специального уведомления

 Другие модели серии

Новая модель РАДОН-8М оснащена специальной гибкой транспортной системой лазерного пучка для обеспечения удобного способа доставки коллимированного лазерного излучения к сложному тестовому оборудованию типа микрозондовой станции.

radon8_1 radon8_2