Участие в 17-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника»

Печать

image0010 С 14 по 18 мая 2018 года сотрудники АО "ЭНПО СПЭЛС" приняли участие в 17-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН совместно с ООО «Галактический поток» при поддержке РФФИ в г. Суздаль Владимирской области.

На конференции были представлены доклады следующих организаций: AMD Inc. (США), ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН, АО «НИИМЭ», AO «Байкал Электроникс», ЗАО НТЦ «Модуль», АО НИИ приборов, НИИ Микроэлектронной Аппаратуры «Прогресс», АО «РКС», АО «ЭНПО СПЭЛС», НИИ КП, НИЯУ МИФИ, НИИ Перспективных материалов и технологий, МИЭМ НИУ ВШЭ, РФЯЦ ВНИИЭФ, МФТИ. В общей сложности было представлено 39 устных докладов, которые были посвящены проектированию сбоеустойчивых СБИС, электронным системам, радиационной стойкости СБИС, а так же методам и средствам моделирования и проектирования ЭКБ.

От АО «ЭНПО СПЭЛС» в конференции приняли участие Лоскутов И. О. и Костюченко Д.С. с устными докладами «Влияние реализации программного кода микропроцессоров на сечение функциональных сбоев при воздействии отдельных ядерных частиц» (авторы: И.О. Лоскутов, П.В. Некрасов, А.Ю.Егоров, В.А. Марфин) и «Требования к программному обеспечению, оборудованию и оснастке для сложно-функциональных СБИС при проведении радиационного эксперимента» (авторы: Д.С. Костюченко, А.Б.Каракозов, В.А.Марфин, Н.Д.Кравченко, П.В.Некрасов, О.А.Калашников, А.В.Уланова).