Руководитель группы: Петров Андрей Григорьевич –
Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript
, +7-926-560-09-31 В работе группы «Запоминающие устройства и оптоэлектроника» можно выделить три направления работ: 1. Направление работ по запоминающим устройствам заключается в подготовке и проведении испытаний микросхем памяти следующих основных типов PROM, SRAM, DRAM,FLASH, EEPROM, FRAM и др. (Петров А.Г., Боруздина А.Б.) 2. Испытания изделий оптоэлектроники также составляют значительную долю работ, проводимых группой. При изучении характеристик испытываемого объекта проводится контроль не только электрических параметров объекта, но и оптических характеристик, что позволяет дать более полное представления об уровнях стойкости. Типовые объекты для радиационного эксперимента: оптроны, светодиоды, фотодиоды, оптоволокно, ПЗС, КМОП- и болометрические матрицы (Черняк М.Е.) 3. Одним из направлений работ является исследование тестовых структур, включающих в себя транзисторные структуры, логические элементы и ячейки памяти. В ходе исследований проводится моделирование радиационных воздействий в приборно-технологических программных пакетах с последующей экспериментальной верификацией полученных результатов (Смолин А.А.) Группой проводятся испытания/исследования изделий к дозовым и импульсным ионизирующим излучениям, на стойкость к структурным повреждениям, а также на стойкость к отдельным ядерным частицам. Основные заказчики и производители объектов испытаний: ОАО «НИИМЭ и Микрон», ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е.Седакова», ОАО «Интеграл», НИИСИ РАН, «ПКК Миландр», ЗАО «НПО «ЛЕПТОН», Atmel, Cypress Semiconductor, Texas Instruments, Analog Devices, AMD, Samsung, Andanta, Kodak, Sony, CMOSIS, Micron и многие другие. В область научных интересов сотрудников группы входит: - Изучение и развитие методик и алгоритмов контроля радиационных эффектов в микросхемах памяти и изделиях оптоэлектроники. - Изучение механизмов взаимодействия ионизирующего излучения с веществом. Сотрудники группы ежегодно принимают участие в российских (не менее 5) и международных (не менее 2) конференциях и научно-практических семинарах. |
В ходе испытаний запоминающих устройств проводится контроль параметров-критериев годности изделий, включая контроль функционирования с помощью алгоритмических функциональных кодов. Можно реализовать тестирование любой сложности (тесты типа N, N1,5 и N2). Ограничение: время и особенности радиационного эксперимента. К примеру, для дозового воздействия время облучения должно быть в 10 раз дольше, чем время измерения параметров, чтобы минимизировать временной отжиг. Типовые применяемые коды: «поле 0», «поле 1», прямые и обратные коды типа «шахматы», «диагональ», «инкрементный», а также «марш» и «псевдослучайный». |