Итоги XI конференции «Достижения китайской электронной промышленности в производстве высоконадежной ЭКБ»

01.06.2026

С 26 по 29 мая 2026 года в Москве на площадке ИКИ РАН прошла XI Международная конференция «Достижения китайской электронной промышленности в производстве высоконадежной электронной компонентной базы (ЭКБ)».

В программе конференции традиционно были представлены:

• Доклады о продукции ведущих китайских предприятий, последних достижениях в сфере разработки и производства высоконадежных электронных компонентов;

• Демонстрация продукции, выпускаемой китайской электронной промышленностью:

высокоскоростные АЦП/ЦАП, ПЛИС;

микросхемы памяти MRAM, FLASH NAND и др.;

ВЧ транзисторы, МШУ, синтезаторы, фазовращатели, формирователи луча;

DC/DC преобразователи, ШИМ-контроллеры, LDO, POL;

компоненты систем навигации и отображения информации;

конденсаторы всех типов (керамические, пленочные, электролитические), размеров и способов монтажа.

• Доклады российских предприятий об опыте применения китайских ЭКБ и выявленных особенностях.

В работе конференции принял участие технический директор АО «ЭНПО СПЭЛС» Андрей Викторович Яненко  с докладом «Опыт оценки радиационной стойкости ЭКБ производства КНР и рекомендации по обеспечению стойкости РЭА по одиночному тиристорному эффекту», в котором отмечалось, что подходы к оценке радиационной стойкости ЭКБ производства Китая соответствуют принятым подходам к оценке РС ЭКБ ИП, первоначальный «перекос» в пользу испытаний радиационно-стойких партий был обусловлен недостаточной «прозрачностью» сопутствующих протоколов, а в настоящее время согласно действующей НТД каждая партия ЭКБ ИП требует испытаний на стойкость к воздействию поглощенной дозы. Статистика испытаний с 2016 года показывает, что около 70% ЭКБ соответствовали заданным требованиям по стойкости к воздействию ИИ КП по эффектам поглощенной дозы и одиночным тиристорным эффектам (ОРЭ), при этом низкая стойкость к воздействию ИИ КП по ОРЭ отказов наблюдается в различных функциональных группах. Это требует тотальной защиты ЭКБ от катастрофического отказа при развитии одиночного тиристорного эффекта и для этого рационально применять дифференцированный подход при выборе метода защиты, основанный на разделении ЭКБ по току потребления и организации питания.

 

Конференция в очередной раз стала важной площадкой для обмена опытом между специалистами и укрепления международного сотрудничества в области высоконадежной электроники.

ОА «ЭНПО СПЭЛС» благодарит организаторов (АО «Эпсилон» и ИКИ РАН) за приглашение к участию в работе конференции!