Конференция «Микроэлектронные системы» (МЭС-2026)

01.07.2026

Конференция «Микроэлектронные системы» (МЭС-2026) проходила 27–28 мая 2026 года в кампусе Сколковского института науки и технологий (Сколтех) в Москве. Мероприятие состоялось как официальная конференция-спутник Российского форума «Микроэлектроника». Гостями и участниками конференции стали более 500 учёных, инженеров и разработчиков отрасли. Организаторами выступили Российская академия наук, Сколтех, Инновационный центр «Альфачип» и Фонд «Сколково» при поддержке Минпромторга, Минобрнауки, Росатома и других ведомств. Генеральным спонсором стал Сбер.

Научная программа включала пять профильных секций:

1. 1. Искусственный интеллект в микроэлектронике и микросистемах - автоматизация проектирования, специализированные процессоры и программно-аппаратные решения для задач искусственного интеллекта.
2. 2. Фотоника и фотонные интегральные схемы - оптические методы передачи и обработки информации, включая применение в авиации и космосе.
3. 3. Квантовые технологии в микроэлектронных системах и сенсорах - сверхчувствительные квантовые сенсоры, атомные часы, новые подходы к позиционированию.
4. 4. Инновационные методы создания и изготовления микроэлектронных систем - гетерогенная интеграция, корпусирование, чиплеты.
5. 5. Специализированные микроэлектронные системы для робототехники, беспилотных систем и космоса - практические решения для промышленной роботизации и управления беспилотными комплексами.

Всего в рамках конференции было представлено свыше 130 докладов при участии более 120 спикеров из ведущих научных и промышленных организаций.

От АО «ЭНПО СПЭЛС» и ЦЭПЭ НИЯУ МИФИ в конференции приняли участие А.И. Чумаков (в составе комитета секции №5), Д.В. Бобровский, А.Е. Козюков, Р.К. Можаев.

Пленарная сессия началась со вступительных речей В.В. Шпака (заместитель Министра промышленности и торговли РФ) и А.М. Гарбузова (руководитель Департамента инвестиционной и промышленной политики Москвы), которые определили ключевые направления развития отрасли.

Одной из интересной и, как нам кажется, правильной мыслью в докладе Шпака В.В. было то, что не смотря на развитие производства ЭКБ на 200 мм и 300мм пластинах и технологических норм 65 нм и менее, все же стратегическим вектором развития отрасли является ориентир на малые фабрики на отечественном оборудовании под пластины размером 100мм и 150 мм, так как до 70% необходимой ЭКБ можно производить по техпроцессу 350нм и более.

На секции «Инновационные методы создания и изготовления микроэлектронных систем» заместитель гендиректора НИИМЭ В.И. Эннс представил доклад о методах создания гетерогенных ПЛИС и БМК на основе новых архитектурных решений, позволяющих существенно увеличить логическую емкость и быстродействие микросхем. Отмечалось, что предлагаемые подходы дают возможность производить на отечественных фабриках конфигурируемые микросхемы, не уступающие современным зарубежным аналогам.

На секции «Специализированные системы для робототехники и космоса» А.В. Носов из ТУСУРа представил исследование «Пассивные устройства защиты от сверхкоротких импульсов и электростатического разряда на основе меандровых линий для бортовых систем», выполненное при поддержке гранта РНФ. Материалы доклада были рекомендованы к публикации в журнале «Информационные технологии».

Ректор НИЯУ МИФИ В.И. Шевченко выступил на конференции МЭС-2026 с докладом «Фотоника в МИФИ: от квантовых технологий до термояда» в секции «Фотоника и фотонные интегральные схемы».

Ключевые тезисы выступления:

• Исследования для квантовых стандартов частоты: работа над созданием квантовых часов и квантового регистра на ионах стронция, а также изучение ядерного перехода в изотопе тория-229. Цель - достижение погрешности в 10⁻²⁰, что открывает возможности для принципиально новых экспериментов.
• Квантовые сенсоры: разработка высокочувствительных магнитометров и термометров на основе NV-центров в алмазе для работы при комнатной температуре. Создаётся прибор для сканирующей магнитометрии с разрешением до 50 нм.
• Источники одиночных фотонов: для квантовых коммуникаций разрабатывается источник на основе наноалмаза с SiV-центром, работающий при комнатной температуре и обладающий высокой фотостабильностью.
• Создана собственная библиотека элементов по технологиям транзисторов с высокой электронной подвижностью (HEMT) на арсениде галлия. Ведутся работы по моделированию фотонных интегральных схем, в том числе на основе фосфида индия.
• Новый экспериментальный комплекс ЭЛЬФ: строительство в МИФИ уникальной лазерно-физической установки для исследований квантовых режимов излучения и свойств вакуума на экстремальных интенсивностях излучения (до 10²⁷ Вт/см²). Этот проект должен заместить для российских учёных утраченный доступ к зарубежным установкам.

В заключении доклада было подчеркнуто, что, поскольку электроника достигла физического предела, необходимо совершить переход к фотонным технологиям, и сейчас ключевой вопрос - как и кем будет осуществлён этот прорыв.

На выставочной экспозиции Сколтех представил ряд разработок:

• Квантовый сенсор для навигации и гравитационного картографирования, а также систему температурного контроля космических аппаратов на основе волоконно-оптических датчиков с применением алгоритмов машинного обучения.
• Фотонные интегральные схемы для сетей связи нового поколения, включая интегральные волноводы, оптические переключатели и широкополосные плазмонные модуляторы.
• Программно-аппаратный комплекс защищённой передачи данных в сетях 4G/5G с технологией квантового распределения ключей (проект для РЖД).
• Стартап «Волга» представил систему мониторинга ледообразования на ЛЭП, уже эксплуатируемую в 20 регионах России.

Важным событием стал запуск первого в России сервиса контрактного производства фотонных интегральных схем на платформе «кремний-на-изоляторе» в мультипроектном формате, о чём объявила ректор Сколтеха Ю.Г. Горбунова.

По итогам конференции лучшие доклады получили рекомендации к публикации в высокорейтинговых научных журналах и для презентации на осеннем Форуме «Микроэлектроника» в Сириусе.