Главная ∙ Новости ∙ Консорциум НИЯУ МИФИ — АО «ЭНПО СПЭЛС» провёл Предконференцию «Доверенная и экстремальная электроника»

Консорциум НИЯУ МИФИ — АО «ЭНПО СПЭЛС» провёл Предконференцию «Доверенная и экстремальная электроника»

Консорциум НИЯУ МИФИ — АО «ЭНПО СПЭЛС» провёл Предконференцию «Доверенная и экстремальная электроника»
14.09.2026

С 7 по 10 сентября 2026 года в Москве на площадке АО «ЭНПО СПЭЛС» прошла Предконференция №1 «Доверенная и экстремальная электроника» Российского форума «Микроэлектроника 2026». Организатором выступил Консорциум «Доверенные и экстремальные электронные системы», объединивший специалистов отрасли для обсуждения разработки, испытаний и подтверждения качества и безопасности электронной продукции.


В очном и онлайн-форматах участники рассмотрели более 50 докладов в пяти тематических блоках: экстремальная электроника; технологическое и контрольно-измерительное оборудование; разработка и производство электронной компонентной базы; доверенная электроника; развитие стандартизации. Общей задачей стало обсуждение практических способов обеспечения надёжности, стойкости и безопасности изделий на протяжении их жизненного цикла.


А.Ю.Никифоров


Координацию Предконференции осуществляли Александр Юрьевич Никифоров и Леонид Николаевич Кессаринский. В мероприятии участвовал руководитель Консорциума, директор ЦЭПЭ НИЯУ МИФИ Виталий Арсеньевич Телец. Тематические блоки модерировали директор испытательного центра АО «ЭНПО СПЭЛС» Георгий Викторович Чуков, заместитель генерального директора по испытаниям Анастасия Владиславовна Уланова, директор дизайн-центра приемопередающей ЭКБ и РЭА Николай Александрович Усачёв и заместитель директора АИЦ ИБСЗИ НИЯУ МИФИ Леонид Николаевич Кессаринский.


Специалисты Консорциума представили методические подходы к радиационным испытаниям, контролю стойкости к импульсным электрическим воздействиям и оценке качества производственных партий. Отдельное внимание было уделено испытаниям сложных изделий — твердотельных накопителей, оптопар и электронных модулей.


Значительную часть выступлений составили разработки испытательного и измерительного оборудования. Сергей Златин представил источник микросекундных высокоамперных импульсов для испытаний полупроводниковых приборов. Михаил Шевлягин рассказал о модуле коммутации слаботочных сигналов со встроенной диагностикой залипания реле. Денис Михайлов представил аппаратно-программный комплекс для прямого измерения времени и заряда обратного восстановления диодов.


В области проектирования ЭКБ обсуждались радиочастотные библиотеки для КМОП-технологий, модели приборов интегральной фотоники, сигма-дельта модуляторы и кварцевые генераторы. В докладе Анастасии Волковой был представлен генератор по отечественной КМОП-технологии 250 нм: изменение нагрузочной ёмкости резонатора на этапе запуска позволило сократить время установления колебаний до четырёх раз.


Репортажное фото - программа


В программу вошли следующие доклады представителей Консорциума НИЯУ МИФИ — АО «ЭНПО СПЭЛС» (ознакомиться с презентациями):

  • Г.В.Чуков — «Рациональный методический подход к радиационным испытаниям ЭКБ: состояние дел и ближайшие задачи».
  • А.А.Метревели — «Компактные методы C–V-диагностики радиационной деградации МОП-транзисторов».
  • Ю.М.Московская — «Закономерности распределения результатов контроля радиационной стойкости производственных партий пластин».
  • А.Н.Шемонаев — «Обеспечение достоверности и повторяемости определения показателей стойкости изделий ЭКБ к воздействию импульсов напряжения по критерию выявления скрытых дефектов в полупроводниковых структурах и процессов деградации».
  • М.С.Бердо — «Методические особенности контроля одиночных сбоев при воздействии ТЗЧ в твёрдотельных накопителях с включённой системой коррекции».
  • Л.А.Колегов — «Конструктивная адаптация оптопар при радиационных испытаниях».
  • Е.Д.Шаповалова — «Особенности адаптации модульных изделий для проведения исследований стойкости к воздействию тяжёлых заряженных частиц».
  • В.А.Кузнецова — «Актуальные вопросы контроля привнесённых загрязнений на поверхность полупроводниковых пластин при испытаниях разработанных в рамках ОКР установок».
  • С.А.Златин — «Разработка программно-управляемого источника микросекундных высокоамперных импульсов для испытаний полупроводниковых приборов».
  • М.С.Шевлягин — «Снижение паразитной ёмкости коммутационной системы слаботочных сигналов для автоматизации функциональных испытаний».
  • Д.А.Михайлов — «Аппаратно-программный комплекс для измерения времени обратного восстановления и заряда восстановления полупроводниковых диодов».
  • В.Н.Котов — «Подходы к созданию радиочастотных библиотек базовых элементов для КМОП технологических процессов».
  • М.А.Шульгин — «Разработка поведенческой модели лазер-тиристора с анодным управлением».
  • Т.С.Соколов — «Разработка сигма-дельта модулятора с использованием КМОП технологических процессов 250 и 180 нм».
  • А.А.Волкова — «Разработка кварцевого генератора с быстрым запуском по технологии КМОП 250 нм».
  • М.М.Таймасханов — «Методологические рекомендации к калибровке сверхпроводникового гелиевого уровнемера».
  • Н.А.Усачёв — «Инструментарий для успешной разработки КМОП приёмопередатчиков: технологические процессы и библиотеки, САПР, маршруты, схемно-топологические решения. Подведение итогов заседания».
  • Л.Н.Кессаринский — «Подход к формированию требований, обеспечению и подтверждению доверенности (качества и безопасности) электроники (расширенный обзорный доклад)».
  • И.Б.Леухин — «Проблемные вопросы построения систем тестирования малых космических аппаратов на примере испытаний бортового компьютера».
  • Д.А.Козин — «Повышение стабильности физически неклонируемых функций на основе ПЛИС Xilinx».
  • Д.С.Турбин — «Оптимизация алгоритма перевода чисел в модульной арифметике с использованием ПЛИС».
  • Л.Н.Кессаринский — «Общее представление базовых идей и проектов стандартов» — о проектах стандартов на доверенные интегральные микросхемы.


Кроме того, Глеб Олегович Чернышёв провёл интерактивный мастер-класс «Разработка GaAs pHEMT СВЧ усилителя в САПР Keysight ADS», посвящённый практическим инструментам проектирования СВЧ-микросхем.


Отдельный день Предконференции был посвящён развитию стандартизации. Вместе с представителями профильных организаций специалисты Консорциума обсудили проекты национальных стандартов на доверенные интегральные микросхемы и программно-аппаратные комплексы для критической информационной инфраструктуры. В центре внимания находились критерии доверенности, требования к изделиям и их жизненному циклу, а также способы подтверждения соответствия этим требованиям.


Предконференция позволила сопоставить результаты разработок и испытаний с требованиями производителей и потребителей электроники. Начатые обсуждения продолжатся на форуме «Микроэлектроника 2026», который состоится с 27 сентября по 3 октября на федеральной территории «Сириус».



Другие новости