Поставка лазерного комплекса модели «Краб-1.0»

В марте 2024 года мы успешно начали в Калуге интеграцию Лазерного комплекса для коррекции элементов топологии полупроводниковых кристаллов на полупроводниквой пластине («Краб-1.0») в технологический процесс предприятия-Заказчика.

Лазерный комплекс «Краб-1.0» предназначен для коррекции элементов топологии полупроводниковых кристаллов: перерезание металлизированных перемычек, поликремниевых областей и удаление фрагментов тонкопленочных резисторов без повреждения нижележащих слоев структуры кристалла на поверхности полупроводниковой пластины.

Лазерный комплекс устанавливается на зондовую установку Заказчика с обеспечением возможности применения штатного микроскопа зондовой установки. Программное обеспечение Лазерного комплекса синхронизировано с программой измерительного комплекса по заранее согласованному алгоритму работы и списку команд и по желанию Заказчика.

Оснащенное рабочее место с установленным на зондовой станции Заказчика лазерным комплексом КРАБ-1.0.