30.03.2026
25–26 марта 2026 года в Нижнем Новгороде (филиал РФЯЦ-ВНИИЭФ «НИИИС им. Ю.Е. Седакова») прошла XX конференция «Микроэлектроника специального и гражданского назначения. Проблемы создания и пути решения». Там встретились разработчики и производители ЭКБ, обменялись опытом и обсудили, как добиться технологического суверенитета.
От АО «ЭНПО СПЭЛС» участвовали А.Ю. Никифоров, А.В. Уланова, Л.Н. Кессаринский, Ю.М. Московская, Р.К. Можаев. Коллеги сделали доклады и представили на круглом столе результаты работы по нормативам для доверенной электроники в критической информационной инфраструктуре (КИИ).
О чём были доклады сотрудников АО «ЭНПО СПЭЛС»
- А.Ю. Никифоров рассказал о концепции доверенной электроники для регулируемых рынков КИИ. Отдельно разобрал вопрос соотношения доверенности и «отечественности». Тему продолжили на двухчасовом круглом столе.
- Л.Н. Кессаринский на круглом столе представил три проекта ГОСТ Р, разработанных предприятием:
- «КИИ. Доверенные интегральные микросхемы. Общие положения»
- «КИИ. ДИС. Общие технические условия»
- «КИИ. ДИС. Требования к жизненному циклу»
После утверждения эти стандарты станут основой для регулирования рынка электроники КИИ, который в 20–30 раз шире военно-космического.
- А.В. Уланова предложила рациональный методический подход к радиационным испытаниям ЭКБ по стандарту «Климат-8».
- Р.К. Можаев показал, как на «ЭНПО СПЭЛС» подстраивают тонкоплёночные резисторы и ретушируют фотошаблоны лазерными установками «СКАТ» (для изделий в корпусе) и «КРАБ» (для пластин). Обе установки позволяют параллельно проводить параметрическое тестирование изделий с помощью подключаемого оборудования.
- Ю.М. Московская выступила с докладом о прогнозном контроле радиационной стойкости полузаказных КМОП СБИС, сделав упор на стадии производства и контроль партии пластин.
Другие доклады на конференции
- В.В. Серафимович (РФЯЦ-ВНИИЭФ) во вступительной речи представил ретроспективу предприятия – Горьковскому бюро приборостроения и измерительной техники (ныне НИИИС) 60 лет и 80 лет атомной промышленности и РФЯЦ ВНИИЭФ.
- П.А. Манин (филиал РФЯЦ-ВНИИЭФ «НИИИС им. Ю.Е. Седакова») рассказал о производстве специализированной ЭКБ по технологии КНИ 0,35–1,6 мкм КНИ на собственных фотошаблонах, в том числе в режиме foundry, и о БиКМОП 0,35 мкм на 40 В и о производстве MEMS .
- В.Б. Стешенко (АО «РКС») привёл статистику: 83,5% брака ЭКБ космического назначения выявляется на этапе входного контроля по несоответствию электрических параметров.
- С.А. Петров (ФГУП «ВНИИА», площадка Волгоград) — о приёмопередатчиках шумоподобных сигналов на отечественных СБИС, в т.ч. для робототехники.
- Ю.Н. Вольхин (АО «ЦКБА») — о СВЧ-ЭКБ для радиолокации и радиофотоники, включая модулятор Маха–Цендера с TFLN (тонкие плёнки ниобата лития).
- П.А. Чубунов (АО «НИИ КП») — о нововведениях (с 2020 года) в нормативной документации по оценке стойкости к ИИ КП, в т.ч. замене ОСТ 134-0139-2005 на новый ОСТ 02.07.0002-2025.
- А.Ю. Азов (филиал РФЯЦ-ВНИИЭФ «НИИИС им. Ю.Е. Седакова») — о разработках FeRAM на HZO и перовскитах.
- И.А. Харитонов (МИЭМ НИУ ВШЭ) — о комплексе для определения SPICE-параметров полупроводниковых приборов для проектирования РЭА гражданского и специального назначения.
- И.П. Чирков (ФГКП «ВНИИФТРИ») — об отечественном тепловом МЭМС-преобразователе СВЧ (аналог Keysight) на базе ГЭТ 167-2021 (37,5 – 118 ГГц) – эталон единицы мощности.
- А.Н. Мансуров (филиал РФЯЦ-ВНИИЭФ «НИИИС им. Ю.Е. Седакова») — о разработках MOSFET на SiC.
- М.С. Коржавин (филиал РФЯЦ-ВНИИЭФ «НИИИС им. Ю.Е. Седакова») — о сверхстойких микросхемах и процессорах (1914ВМ18, 1914ВМ24, 1914ВК14).
Благодарим организаторов и сотрудников НИИИС им. Ю.Е. Седакова за тёплый приём, отличную организацию и возможность работать в хорошей рабочей атмосфере. Конференция в очередной раз подтвердила неизменно высокий уровень — и организационный, и научно-технический. Отдельно ценно, что эта площадка традиционно даёт возможность для живого, неформального общения между коллегами из разных организаций.