Проводим СВЧ- (до 110 ГГц) и радиационно-ориентированную (структурные повреждения, дозовые и одиночные эффекты, эффекты мощности дозы) характеризацию технологических процессов на основе Si, SiGe, A3B5.
Разрабатываем тестовые структуры для характеризации, проводим экспериментальные исследования, в т. ч. при радиационном воздействии. На основе обобщения и анализа данных мы предлагаем меры по повышению радиационной стойкости. При технической необходимости разработаем специализированные модели дискретных и интегральных элементов, в т. ч. учитывающие радиационное воздействие. Для задач характеризации разработаны и внедрены в эксплуатацию специальные измерительные комплексы, среди которых и оснащенные малогабаритными радиационными источниками.
СВЧ-характеризация: КМОП КНИ 350, КМОП КНИ 180, КМОП 90
|
Предприятие |
НИИИС |
НИИМЭ |
НИИМЭ |
|
Техпроцесс |
КМОП КНИ 350 нм |
КМОП КНИ 180 нм |
КМОП 90 нм |
|
Ft, ГГц |
15 |
30 |
110 |
|
Кш, дБ |
2,2 (@1,5 ГГц) |
2…4 (@3 ГГц) |
< 3 (@10 ГГц) |
|
Разработанные СВЧ-элементы |
усилительные и переключательные МОПТ, варикапы, R, L, C, МПЛ |
усилительные и переключательные МОПТ, варикапы, R, L, C, МПЛ |
Исследования усилительных МОП-транзисторов |
|
Разработанные СВЧ IP-блоки РПДУ |
МШУ, УПЧ, ГУН, СМ, ДЧ, ПС и др. с Fраб. ≤ 2 ГГц |
МШУ, УПЧ, ГУН, СМ, ДЧ, ПС и др. с Fраб. ≤ 3..5 ГГц |
в разработке |
|
fмакс, ГГц |
2 |
5 |
≥ 12 |
РО-характеризация. Примеры радиационно-ориентированных моделей (РОМ) базовых элементов
|
Техпроцесс |
Фабрика |
Ft, ГГц |
Критичный БЭ |
ДРЭ |
Тип РОМ |
Совместимость с САПР |
|
SiGe БиКМОП 0,42/0,25 мкм |
IHP |
75/35 |
HBT |
Структурные повреждения |
Макромодель с РЗ-элементами |
Cadence Virtuoso |
|
GaAs HBT 2 мкм |
WIN |
35 |
HBT |
Структурные повреждения |
Keysight ADS |
|
|
КМОП КНИ 0,18 мкм |
Микрон |
30 |
МОП-тр. |
Дозовые эффекты |
Cadence Virtuoso |
|
|
GaAs pHEMT 0,5 мкм |
Светлана-Рост |
35 |
pHEMT |
Объемные ионизационные эффекты |
Keysight ADS, Cadence AWR |