Поиск мест отказа или сбоя в изделии и определение причин их возникновения

Наши специалисты помогут установить критичные к отказам места на кристалле и проанализировать наблюдаемый эффект, чтобы сформировать и предоставить разработчику ЭКБ рекомендации по коррекции топологии.

Например, в ранее реализованных проектах были получены такие результаты:

• устранен отказ изделия при протекании повышенного ионизационного тока по мере итерационной доработки топологии кристалла изделия по результатам исследований;

• повышен уровень стойкости и сформировано оптимальное схемотехническое решение на примере вариантов реализации обратной связи в источниках вторичного электропитания;

• подобран «демпфирующий» резистор для предотвращения «быстрого» КО (отказ за время ~10 - 100 мкс).